國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區正式開工 總投資240億美元

總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成后，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破。

此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建筑。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。據新華社